| 规格 | 2~4英寸 |
|---|---|
| 制备 | VGF |
| 每盒 | 25片 |
| 表面 | 单抛光 |
| 类型 | N型 P型 本征 |
| 特性 | 导电 |
| 用途 | 科研 |
| 种类 | 化合物半导体 |
| 品牌 | 特博科技 |
| 加工定制 | 是 |
砷化镓（gallium arsenide），化学式GaAs，属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，由砷和镓两种元素化合而成，外观呈亮灰色，具金属光泽、性脆而硬，是当代国际公认的继"硅（Silicon）"之后**的化合物半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性度良好等优越特性，是光电子和微电子工业**的支撑材料之一。
在光电子工业领域应用层面，砷化镓单晶可被用于制作LD（激光器）、LED（发光二极管）、光电集成电路（OEIC）、光伏器件等；
在微电子工业领域应用层面，可被用于制作MESFET（金属半导体场效应管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、HBT（异质结双极晶体管）、IC、微波二极管、Hall器件等。
主要涉及**军事电子应用、光纤通信系统、宽带卫星无线通信系统、测试仪器、汽车电子、激光、照明等领域。作为重要的半导体材料，GaAs的电子迁移率为硅和氮化镓的5倍，用于中小功率微波器件具有更低的功率损耗，因此在手机通讯、局域无线网、GPS和汽车雷达等领域中占主导地位。
