| 材质 | InAs |
|---|---|
| 产地 | 安徽合肥 |
| 类型 | 高效 |
| 特性 | 绝缘效果好 |
| 形状 | 异形 |
| 用途 | 光学，航空，半导体 |
| 种类 | 半导体晶体 |
| 品牌 | MTI集团--合肥科晶 |
| 型号 | InAs |
| 加工定制 | 是 |
产品名称： | 砷化铟（InAs）晶体 | ||||||||||||
产品简介： | |||||||||||||
技术参数： |
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常规尺寸： | 常规晶向：<100>、<111>； 常规尺寸：10x10x0.5mm; dia2″x0.5mm;抛光情况：单抛或双抛; 表面粗糙度Ra:<15A 注：可按客户需求定制相应的方向和尺寸。 | ||||||||||||
备注： | 1000级超净室100级超净袋 |
| Other InAs | InSb | InP | GaAs | GaSb | 基片包装盒系列 | 薄膜制备设备 | RTP快速退火炉 |
